请列出SRAM与DRAM的不同之处?

SRAM（静态随机存取存储器）与DRAM（动态随机存取存储器）的主要不同点如下： 1. **存储单元结构**：SRAM使用锁存器（通常由6个晶体管组成）存储数据，属于双稳态电路；DRAM使用一个晶体管和一个电容（1T1C）存储电荷，结构更简单。 2. **存储原理**：SRAM依靠晶体管的导通/截止状态保持数据，无需刷新；DRAM依靠电容上的电荷保存数据，电荷会泄漏，需要周期性刷新（通常每64ms刷新一次）。 3. **速度**：SRAM访问速度快（通常几纳秒），因为无需等待刷新且逻辑电路延迟低；DRAM访问速度较慢（几十纳秒），有预充电、刷新等时间开销。 4. **功耗**：SRAM静态功耗较低，但动态功耗随频率升高；DRAM需要刷新操作额外消耗功耗，但整体工作功耗通常低于高速SRAM。 5. **容量与密度**：DRAM使用更少的晶体管（1T1C），集成度高，容量可达GB级；SRAM单元占用面积大（6T），容量通常较小（几MB）。 6. **成本**：DRAM每比特成本低，适合大容量主存；SRAM成本高，常用于高速缓存（Cache）。 7. **应用场景**：SRAM主要用于CPU缓存、寄存器等对速度要求高的场合；DRAM主要用于计算机主存。 8. **数据保持**：SRAM断电即丢失，DRAM同样易失，但DRAM需要在刷新时保持数据。