如下会影响IC制造良率的是：

正确答案为 A、B、C、D 全选。IC制造良率是指在晶圆制造过程中，能够通过电学测试、功能测试等最终成为合格芯片的比例，其影响因素贯穿设计、工艺、环境及物理层面。A 工艺：光刻、刻蚀、沉积、离子注入等工艺条件的偏差（如线宽均匀性、关键尺寸控制、薄膜厚度波动）会直接导致缺陷密度上升，是良率的核心决定因素。B 布局布线：布局布线决定了版图设计规则满足度、金属互连的填充密度、电源网络均匀性、信号延迟匹配等，不合理的布局布线会导致短路、开路、天线效应、电迁移失效等，从而降低制造良率。C 温度：晶圆制造过程中不同工艺步骤（如扩散、注入后退火、化学气相沉积等）需要精确的温度控制，温度均匀性偏差会引起掺杂浓度波动、薄膜应力不均、晶格损伤等，增加随机缺陷和参数失效风险。D 芯片面积：芯片面积越大，其内部包含的晶体管数量和互连层越多，单位芯片内累积缺陷的概率也越大，同时大面积的芯片更容易受到晶圆边缘效应、热应力不均等影响，导致良率下降（通常遵循Murphy模型或负指数模型）。因此，四个选项均对IC制造良率有直接或间接影响，常见笔试中此题一般作为多选题，要求全部选择。