画出CMOS非门电路？其功耗组成等。

CMOS非门（反相器）由两个增强型MOSFET组成：一个PMOS（上管）和一个NMOS（下管）。栅极相连作为输入Vin，漏极相连作为输出Vout，PMOS源极接VDD，NMOS源极接GND。当Vin为高电平（接近VDD）时，NMOS导通、PMOS截止，Vout输出低电平（GND）；当Vin为低电平（接近GND）时，PMOS导通、NMOS截止，Vout输出高电平（VDD）。 功耗组成： 1. 动态功耗（开关功耗）：当输出电平翻转时，对负载电容CL充放电消耗的能量。其平均值为P_dynamic = α·f·CL·VDD²，其中α为活动因子（翻转概率），f为时钟频率。这是CMOS电路的主要功耗来源。 2. 短路功耗（直流通路功耗）：输入信号上升/下降沿期间，PMOS和NMOS同时导通（短时间内），形成从VDD到GND的瞬态电流。其大小取决于输入转换时间、负载电容和器件尺寸。 3. 静态功耗（漏电流功耗）：即使输入稳定，MOSFET中仍有亚阈值漏电流、栅极漏电流、源/漏结反向漏电流等静态漏电。在先进工艺中，静态功耗占比逐渐增大。 易错点： - 忽略输入转换期间的短路电流，误以为CMOS仅在翻转时充电/放电； - 认为CMOS静态功耗为零（实际有漏电流）； - 动态功耗公式中漏掉活动因子α或电压平方项； - 混淆功耗与电流，或错误地将电源电流平均值直接代入P=IV（应区分对电容充放电和直流通路）。