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下列关于芯片中电迁移的描述错误的一个是:

A.用电迁移会降低芯片寿命 B.电迁移会使芯片性能退化 C.增加导线宽度可以修复电迁移违例 B.增加导线间距可以修复电迁移违例
单选题 中等 笔试真题单选

参考答案

参考答案:D(原题中最后一项应为D,即“增加导线间距可以修复电迁移违例”是错误的。电迁移是指金属原子在电场和电流作用下发生的定向迁移现象,主要受电流密度、温度和材料结构影响。当电流密度超过阈值时,原子迁移会导致导线中出现空洞或小丘,引起断路或短路,从而降低芯片寿命(A正确)并使性能退化(B正确)。修复电迁移违例的主要方法包括:增加导线宽度以降低电流密度(C正确)、使用抗电迁移能力更强的材料(如铜代替铝)、优化导线长度和形状、以及降低工作温度或电流。增加导线间距虽然能减小线间电容和串扰,但不会直接改变单根导线中的电流密度,因此对抑制电迁移没有直接修复作用;实际上,增大间距可能使导线更长或更绕行,反而增加电阻和局部电流密度,不利于电迁移。所以D选项描述错误。)

涉及知识点

  • 电迁移的物理机理
  • 电流密度与电迁移的关系
  • 增加导线宽度降低电流密度
  • 增加导线间距的作用(串扰而非电迁移)
  • 电迁移导致的失效模式(空洞、小丘)
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