Memory BIST can test below elements in the design.

正确答案是A和B。Memory BIST（Built-In Self-Test，内建自测试）是专门用于测试片上存储器的结构性测试方法，其核心目的是检测存储阵列（Memory Array）的位单元故障、行/列故障、地址译码故障等。地址译码器（Address Decoder）属于存储器外围电路，BIST通过施加地址序列可以检测译码器是否出现错误的地址选择（例如地址间短路、开路或时序错误），因此地址译码器是Memory BIST的标准测试对象。存储阵列是BIST的主要测试目标，通过March算法等测试序列覆盖固定故障、转换故障、耦合故障等常见缺陷。ECC（Error Check & Correct）逻辑通常属于存储器的纠错外围电路，其功能正确性一般由Logic BIST或功能测试验证，并非Memory BIST的标准测试项，因为Memory BIST只产生原始读写操作而不涉及纠错编码/解码过程，强制测试ECC逻辑需要额外设计并集成到BIST控制器中，但典型实现中不包含。存储器访问控制逻辑（Memory access control logic）通常包括地址锁存、读写控制、时钟门控等，这些逻辑更适宜采用Logic BIST或扫描测试来检测，Memory BIST无法直接评估其控制时序或仲裁行为。因此，Memory BIST直接覆盖的对象仅为存储阵列和地址译码器，而ECC逻辑和访问控制逻辑不在其标准测试范围内。易错点：考生可能将“存储器相关所有逻辑”都归为Memory BIST，忽视了BIST的测试边界；或者混淆Memory BIST与Logic BIST的职责划分。正确理解：Memory BIST专注于存储器单元阵列和地址译码，其他外围逻辑依赖其他测试方法。