The following figure shows the CMOS inverter circuit, which is composed of two enhanced MOSFET, one N-channel structure…

正确选项为B。CMOS反相器由增强型NMOS和PMOS组成，要求输入高电平时NMOS导通、PMOS截止，输入低电平时NMOS截止、PMOS导通。NMOS的阈值电压VTN为正，PMOS的阈值电压VTP为负，其绝对值|VTP|为正。当输入为高电平VDD时，NMOS的栅源电压Vgs=VDD，需满足VDD > VTN才能导通；PMOS的栅源电压Vgs=VDD-VDD=0，需满足0 > VTP（即VTP < 0），由于VTP本身为负，此条件自动成立，但PMOS的源极（接VDD）与栅极（接VDD）等电位，PMOS处于截止状态。当输入为低电平0时，NMOS的Vgs=0 < VTN，NMOS截止；PMOS的Vgs=0-VDD=-VDD，需满足-VDD < VTP（即VDD > |VTP|）才能使PMOS导通。因此，为保证输入高低电平时两个管子都能可靠开关，必须同时满足VDD > VTN和VDD > |VTP|，即VDD > VTN + |VTP|。若VDD ≤ VTN + |VTP|，当输入为高电平时，NMOS可能不完全导通（若VDD接近VTN），或PMOS无法完全关断（若VDD过小导致PMOS的|Vgs|小于|VTP|而仍有导通电流），导致静态功耗增加甚至逻辑错误；当输入为低电平时，PMOS可能无法完全导通（若VDD ≤ |VTP|）。因此VDD必须严格大于VTN与|VTP|之和。选项A和D的等式条件仅能维持临界导通，但实际电路中存在工艺偏差和噪声，临界状态不可靠；选项C的不等式方向反了，会导致电路无法正常工作。