影响CMOS电路动态功耗的因素有哪些：

正确选项：A、B、C。CMOS电路动态功耗由公式 P_dynamic = C_L × V_DD² × f × α 决定，其中 C_L 为负载电容（受工艺影响，如栅氧厚度、互连线电容等），V_DD 为供电电压，f 为时钟频率，α 为翻转率（即活动因子）。因此工艺（A）通过影响 C_L 间接影响动态功耗；翻转率（B）直接影响 α；供电电压（C）直接影响 V_DD 的平方项。温度（D）主要影响漏电流（静态功耗）以及载流子迁移率，但对动态功耗公式中的参数无直接关系，故不是动态功耗的直接因素。