← 2022 · 大疆创新 笔试

推荐答案 测试一下

下列属于降低芯片静态压降的方法有:

A.增大电源网络密度 B.减小封装电感 C.增加芯片内电容 D.降低工作效率
多选题 中等 笔试真题多选

参考答案

正确答案:A、D。解析:芯片静态压降(static IR drop)指供电网络在稳态下的直流电压降,主要取决于电源网络等效电阻和流过的平均电流(包括漏电流和动态平均电流)。A选项增大电源网络密度(如增加电源/地线宽度、层次、通孔数量等)可有效降低供电网络电阻,从而直接减小静态压降,正确。D选项降低工作效率(如降低时钟频率)会减少动态开关电流,进而降低平均电流,对静态压降有减小作用,正确。B选项减小封装电感主要影响动态压降(由电流变化率引起的Ldi/dt),在直流稳态下电感相当于短路,不影响静态压降,错误。C选项增加芯片内去耦电容可提供瞬时电荷缓冲、抑制电压纹波,但电容对直流电阻无影响,也不改变稳态电流大小,故不能降低静态压降,错误。注意:部分教材将静态IR drop仅定义为与漏电流相关的压降,此时D选项可能被误判为错误,但实际工程中静态IR drop分析常采用平均电流模型,降低频率有效降低平均电流,因此D正确。

涉及知识点

  • 静态压降定义及公式V=IR
  • 电源网络电阻对IR drop的影响
  • 平均电流与工作频率的关系
  • 封装电感对动态压降的作用
  • 去耦电容对动态压降的作用
  • IR drop分类(静态与动态)
← 上一题
登录后反馈错题
下一题 →