7.1 MOS管基本概念与画图

MOS管（金属-氧化物-半导体场效应管）分为N沟道和P沟道两种类型，每种又分为增强型和耗尽型。基本结构：源极(S)、漏极(D)、栅极(G)和衬底(B)。N沟道增强型MOS管符号中，漏极和源极箭头指向沟道；P沟道增强型箭头反向。特性曲线包括转移特性曲线（Vgs对Id）和输出特性曲线（Vds对Id）。输出特性曲线分为可变电阻区、饱和区和击穿区。饱和区条件：Vgs > Vth（N沟道增强型）且Vds ≥ Vgs - Vth。画图时需标注坐标轴、曲线形状、关键电压点（如Vth、饱和电压）。常见易错点：衬底连接方向、耗尽型与增强型符号区别（耗尽型有实线沟道）、沟道长度调制效应在曲线中的体现。