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若 MOS 管 Vgs 不变(Vgs > Vth),随着 Vds 增大,MOS 管工作状态变化为()

A. 饱和区 → 线性区 → 线性电阻区 B. 线性电阻区 → 线性区 → 饱和区 C. 线性电阻区 → 饱和区 → 线性区 D. 饱和区 → 线性电阻区 → 线性区
单选题 中等 2024秋招笔试真题Online Assessment小米芯片工程师笔试题单选

参考答案

正确答案是B。解析:对于NMOS管,当栅源电压Vgs固定且大于阈值电压Vth时,MOS管导通。从Vds=0开始逐渐增大Vds,MOS管的工作状态依次经历三个区域:首先,当Vds非常小(通常Vds << 2(Vgs-Vth))时,沟道近似均匀,电阻呈线性,称为线性电阻区(也称深线性区);随着Vds增大,沟道从源端到漏端逐渐变窄,但仍未夹断,此时工作在线性区(或称可变电阻区、非饱和区),漏极电流Id与Vds近似线性关系;当Vds增大至Vds = Vgs - Vth时,漏端沟道恰好夹断,之后Vds继续增大,MOS管进入饱和区(或称恒流区),Id基本不随Vds增大而改变。因此正确顺序为线性电阻区→线性区→饱和区,对应选项B。易错点:1. 混淆线性区与饱和区的名称(某些教材将饱和区称为线性区,但本题中线性区指可变电阻区);2. 错误认为Vds增大时MOS管从饱和区进入线性区,实际是从线性区进入饱和区。

涉及知识点

  • MOS管三个工作区域定义
  • 线性电阻区(深线性区)特点
  • 线性区(可变电阻区)与饱和区(恒流区)区别
  • 沟道夹断条件Vds=Vgs-Vth
  • Vgs固定时Vds对工作状态的影响
  • Drain电流与Vds的近似关系
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