7.5 CMOS与TTL电路区别

该题考查CMOS与TTL电路的核心区别。题目中a（结构差异）和b（电平范围与噪声容限）的描述基本正确：CMOS由场效应管构成，功耗低、集成度高；TTL由双极性晶体管构成，功耗较大。CMOS逻辑电平范围宽（典型5~15V），噪声容限大，抗干扰能力强；TTL标准供电5V，电平范围窄。但c（功耗与速率）的描述存在争议：早期TTL速度略快于CMOS，但现代CMOS工艺（如深亚微米）已使工作频率远超TTL，且CMOS静态功耗极低。题目称“CMOS工作频率低于TTL”易误导，应注明适用条件。正确选项需依据题目预设选项，但此解析指出c可能不准确。